2022-08-18 21:55:10 来源:参考消息网
核心提示:作者认为,日本和美国联合研发电路线宽2纳米的最先进半导体,是日本挽回在半导体方面劣势的“最后机会”。

参考消息网8月18日报道 《日本经济新闻》网站8月12日发表题为《日本重振半导体的战略》的文章,作者是中山淳史。作者认为,日本和美国联合研发电路线宽2纳米的最先进半导体,是日本挽回在半导体方面劣势的“最后机会”。全文摘编如下:

日本和美国在前些日子的外交和经济部长参加的日美“经济版2+2”会谈中,针对联合研发任何企业都未量产的电路线宽2纳米的最先进半导体达成协议。根据发布的消息,美国国立研究机构和日本的大学计划在日本国内成立联盟,但除此以外浮出水面的是在半导体微细化研究方面走在世界最前列的IBM和英特尔的参与。

两家企业或其中一家有可能提供技术平台,与日本的制造设备和原材料厂商合作开发在日本用于数据中心和自动驾驶等的高性能芯片的量产技术。汽车和通信企业也被认为将参与其中。

有报道称,时任日本经济产业相萩生田光一今年5月考察了纽约州的IBM的研究所,日本方面感兴趣的是该公司主导的联盟拥有的“FinFET工艺”和“全环绕栅极”(gate-all-around,简称GAA)等技术,尤其是后者,这是决定半导体处理能力(晶体管的集成数)在一年半到两年里翻番这一“摩尔定律”今后能否继续维持的重要技术。韩国的三星电子最近利用这项技术,在3纳米芯片(2纳米的上一代)的量产化方面取得了进展。

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